发明名称 像素结构
摘要 本发明提供一种像素结构,包括一扫描线、一数据线、一第一栅极、一第二栅极、一第三栅极、一半导体层、一源极、一第一漏极、一第二漏极、一第一像素电极以及一第二像素电极。数据线与扫描线交错。半导体层配置于扫描线上以定义出第一栅极与第二栅极。源极直接连接数据线,且位于第一栅极与第二栅极之间。第一栅极位于第一漏极与源极之间。第二栅极位于第二漏极与源极之间。第三栅极电性连接扫描线。第一像素电极与第二像素电极分别电性连接第一漏极与第二漏极。
申请公布号 CN102290412A 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN201010206818.0 申请日期 2010.06.17
申请人 胜华科技股份有限公司 发明人 刘锦璋;詹建廷;苏国彰
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 刘芳
主权项 一种像素结构,包括:一扫描线,具有一主线以及一分支;一半导体层,配置于该主线以及该分支上,以分别定义出一第一栅极以及一第二栅极;一数据线,与该主线交错;一源极,直接连接该数据线,配置于该半导体层上,且位于该第一栅极与该第二栅极之间;一第一漏极,接触该半导体层,且该第一栅极位于该第一漏极以及该源极之间;一第二漏极,接触该半导体层,且该第二栅极位于该第二漏极以及该源极之间;一第三栅极,电性连接该扫描线;一第一像素电极,电性连接该第一漏极;以及一第二像素电极,电性连接该第二漏极。
地址 中国台湾台中县潭子乡台中加工出口区建国路10号