发明名称 一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法
摘要 本发明涉及太阳能电池制备技术领域,具体涉及一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法。所述制备方法,包括如下步骤:对硅片表面进行处理,形成黑硅;将所述黑硅放置于原子层沉积设备反应腔中;在所述黑硅表面生长一层镍金属;向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质,通过等离子体放电,形成碳原子,所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构;在所述碳纳米管表面涂上反射增透膜,形成异质结黑硅太阳能电池。本发明通过ALD技术把黑硅材料和CNT材料有机的结合,使用本发明制备出的太阳能电池具有透光性强,转化效率高等特点。
申请公布号 CN102290496A 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN201110285826.3 申请日期 2011.09.23
申请人 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 发明人 夏洋;饶志鹏;万军;李超波;陈波;黄成强;刘键;石莎莉;李勇滔
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 11302 代理人 刘丽君
主权项 一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:对硅片表面进行处理,形成黑硅;将所述黑硅放置于原子层沉积设备反应腔中;在所述黑硅表面生长一层镍金属;向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质,通过等离子体放电,形成碳原子,所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构;在所述碳纳米管表面涂上反射增透膜,形成异质结黑硅太阳能电池。
地址 100029 北京市朝阳区土城西路3号中科院微电子所