发明名称 |
一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及太阳能电池制备技术领域,具体涉及一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法。所述制备方法,包括如下步骤:对硅片表面进行处理,形成黑硅;将所述黑硅放置于原子层沉积设备反应腔中;在所述黑硅表面生长一层镍金属;向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质,通过等离子体放电,形成碳原子,所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构;在所述碳纳米管表面涂上反射增透膜,形成异质结黑硅太阳能电池。本发明通过ALD技术把黑硅材料和CNT材料有机的结合,使用本发明制备出的太阳能电池具有透光性强,转化效率高等特点。 |
申请公布号 |
CN102290496A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201110285826.3 |
申请日期 |
2011.09.23 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
发明人 |
夏洋;饶志鹏;万军;李超波;陈波;黄成强;刘键;石莎莉;李勇滔 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘丽君 |
主权项 |
一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:对硅片表面进行处理,形成黑硅;将所述黑硅放置于原子层沉积设备反应腔中;在所述黑硅表面生长一层镍金属;向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质,通过等离子体放电,形成碳原子,所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构;在所述碳纳米管表面涂上反射增透膜,形成异质结黑硅太阳能电池。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区土城西路3号中科院微电子所 |