发明名称 |
形成具有LC滤波器和IPD滤波器的RF FEM的半导体器件和方法 |
摘要 |
本发明涉及形成具有LC滤波器和IPD滤波器的RFFEM的半导体器件和方法。半导体器件具有基板和在基板上形成的RFFEM。RFFEM包括具有耦合用于接收发射信号的输入的LC低通滤波器。Tx/Rx开关具有耦合到LC滤波器的输出的第一端子。双工器具有耦合到Tx/Rx开关的第二端子的第一端子和用于提供RF信号的第二端子。IPD带通滤波器具有耦合到Tx/Rx开关的第三端子的输入和提供接收信号的输出。LC滤波器包括盘绕以展现电感和互感属性的导电迹线以及耦合到导电迹线的电容器。IPD滤波器包括盘绕以展现电感和互感属性的导电迹线和耦合到导电迹线的电容器。RFFEM基板可以堆叠在包含RF收发器的半导体封装上。 |
申请公布号 |
CN102290329A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201110160586.4 |
申请日期 |
2011.06.15 |
申请人 |
新科金朋有限公司 |
发明人 |
金炫泰;李镕泽;金光;安秉勋;刘凯 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
刘春元;蒋骏 |
主权项 |
一种制作半导体器件的方法,包含:提供基板;以及在基板上形成射频前端模块(RF FEM),该RF FEM包括:(a) 形成电感器电容器(LC)低通滤波器,该LC低通滤波器具有耦合用于接收发射信号的输入;(b) 形成发射/接收(Tx/Rx)开关,该Tx/Rx开关具有耦合到LC低通滤波器的输出的第一端子;(c) 形成双工器,该双工器具有耦合到Tx/Rx开关的第二端子的第一端子和用于提供RF信号的第二端子;以及(d) 形成集成无源器件(IPD)带通滤波器,该IPD带通滤波器具有耦合到Tx/Rx开关的第三端子以用于接收接收信号的输入和提供过滤的接收信号的输出。 |
地址 |
新加坡新加坡市 |