| 发明名称 | 存储元件的驱动方法和存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及存储元件的驱动方法和存储装置。对于存储元件的驱动方法，所述存储元件具有多个磁性层并通过利用自旋矩磁化反转进行记录，所述驱动方法包括以下步骤：向所述存储元件施加脉冲电压，所述脉冲电压的极性与施加记录脉冲电压时的所述记录脉冲电压的极性相反。所述驱动方法和所述存储装置均能够抑制电击穿。 | ||
| 申请公布号 | CN102290093A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201110126196.5 | 申请日期 | 2011.05.12 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 武玉琴;陈桂香 |
| 主权项 | 一种存储元件的驱动方法，所述存储元件具有多个磁性层并通过利用自旋矩磁化反转进行记录，所述驱动方法包括以下步骤：向所述存储元件施加脉冲电压，所述脉冲电压的极性与施加记录脉冲电压时的所述记录脉冲电压的极性相反。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||