发明名称 利用产毒镰孢菌生产T-2和HT-2毒素的方法
摘要 利用产毒镰孢菌生产T-2和HT-2毒素的方法,该方法包括产毒培养的步骤,产毒培养的条件包括:使用Richard液体培养基为产毒培养基,培养温度5℃~20℃,光照培养与暗培养每24小时交替、先振荡培养再静置培养相结合的方式,共培养8~10天。采用本发明所述的方法进行产毒镰孢菌的产毒培养,方法简单易行,毒素产量高,可得到T-2毒素最高产量为5ng/mL,HT-2毒素最高产量为17.1ng/mL。
申请公布号 CN102286566A 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN201110168318.7 申请日期 2011.06.22
申请人 大连民族学院 发明人 吕国忠;王雅玲;欧阳毅;孙晓东
分类号 C12P17/18(2006.01)I;C12Q1/68(2006.01)I;C12Q1/04(2006.01)I;C12N1/14(2006.01)I;C12R1/77(2006.01)N 主分类号 C12P17/18(2006.01)I
代理机构 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人 刘晓琴
主权项 利用产毒镰孢菌生产T‑2和HT‑2毒素的方法,包括产毒培养的步骤,其特征在于产毒培养的条件包括:使用Richard液体培养基为产毒培养基,培养温度5℃~20℃,光照培养与暗培养每24小时交替、先振荡培养再静置培养相结合的方式,共培养8~10天。
地址 116600 辽宁省大连市金州新区辽河西路18号