发明名称 |
利用产毒镰孢菌生产T-2和HT-2毒素的方法 |
摘要 |
利用产毒镰孢菌生产T-2和HT-2毒素的方法,该方法包括产毒培养的步骤,产毒培养的条件包括:使用Richard液体培养基为产毒培养基,培养温度5℃~20℃,光照培养与暗培养每24小时交替、先振荡培养再静置培养相结合的方式,共培养8~10天。采用本发明所述的方法进行产毒镰孢菌的产毒培养,方法简单易行,毒素产量高,可得到T-2毒素最高产量为5ng/mL,HT-2毒素最高产量为17.1ng/mL。 |
申请公布号 |
CN102286566A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201110168318.7 |
申请日期 |
2011.06.22 |
申请人 |
大连民族学院 |
发明人 |
吕国忠;王雅玲;欧阳毅;孙晓东 |
分类号 |
C12P17/18(2006.01)I;C12Q1/68(2006.01)I;C12Q1/04(2006.01)I;C12N1/14(2006.01)I;C12R1/77(2006.01)N |
主分类号 |
C12P17/18(2006.01)I |
代理机构 |
大连东方专利代理有限责任公司 21212 |
代理人 |
刘晓琴 |
主权项 |
利用产毒镰孢菌生产T‑2和HT‑2毒素的方法,包括产毒培养的步骤,其特征在于产毒培养的条件包括:使用Richard液体培养基为产毒培养基,培养温度5℃~20℃,光照培养与暗培养每24小时交替、先振荡培养再静置培养相结合的方式,共培养8~10天。 |
地址 |
116600 辽宁省大连市金州新区辽河西路18号 |