一种太阳能电池片干法刻蚀工艺

摘要

本发明公开一种太阳能电池片干法刻蚀工艺，属于太阳能电池生产领域。所述工艺包括两步干法刻蚀：抽真空，通入50-100sccm和190-350sccm的O2和CF4气体，对腔体稳压，设定压力220-330mt，功率850w,转速8-10rpm/min，时间250-350s，用射频电源去掉硅片边缘表面SiO2；排除废气，通入40-120sccm和200-450sccm的O2和CF4气体，对腔体稳压，设定压力230-440mt，功率850w,转速8-10rpm/min，时间1000-1200s，用射频电源去掉硅片边缘Si。本发明缩短了刻蚀时间，减少了刻蚀气体用量，兼顾了高并联电阻和高转换率的要求。

主权项

一种太阳能电池片干法刻蚀工艺，包括干法刻蚀步骤，其特征在于，所述干法刻蚀步骤包括：第一步刻蚀工艺：抽真空，通入O2和CF4气体，气体流量分别50‑100sccm和190‑350sccm，对腔体稳压，设定压力220‑330mt，功率850w,转速8 ‑10rpm/min，时间控制为250‑350s，用射频电源去掉硅片边缘表面的SiO2；第二步刻蚀工艺：排除废气，通入O2和CF4气体，气体流量分别40‑120sccm和200‑450sccm，对腔体稳压，设定压力230‑440mt，功率850w,转速8 ‑10rpm/min，时间控制为1000‑1200s，用射频电源去掉硅片边缘的 Si。