一种InGaN太阳能电池外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种InGaN太阳能电池外延片及其制备方法。所述外延片的结构从下至上依次为衬底、缓冲层、n型层、吸收层Ⅰ、吸收层Ⅱ和p型层，所述吸收层Ⅰ为量子阱层结构，吸收层Ⅱ是非故意掺杂InGaN。本发明在现有量子阱太阳能电池的结构基础上增加了i型InGaN吸收层的结构，由于量子阱吸收层Ⅰ和InGaN吸收层Ⅱ的吸收限不同，可以有效拓宽吸收谱；同时，由于i型InGaN层也可以吸收光子，引入此层可以增加吸收层的总厚度，从而提高了光电转换效率，提高了太阳能电池的整体性能。本发明提供了所述外延片的制备方法，简单易行，成本较低，制备条件精确，可实现工业化生产。

主权项

一种InGaN太阳能电池外延片，其特征在于所述外延片的结构从下至上依次为衬底、缓冲层、n型层、吸收层Ⅰ、吸收层Ⅱ和p型层，所述吸收层Ⅱ位于吸收层Ⅰ和p型层之间。