发明名称 | 多晶硅尾气干法分离系统吸附柱解析方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种多晶硅尾气干法分离系统吸附柱解析方法,包括如下步骤:a)先采用氮气对吸附柱反吹解析,b)再用氢气对吸附柱进行置换,c)反吹后带有大量氯硅烷的氮气或氢气通过循环水、制冷剂冷却,分离其中的氯硅烷之后,氮气或氢气送到残液处理车间淋洗放空;本方法克服反吹氢气未被有效利用、多晶硅生产中氢气严重不足的情况及淋洗放空所带来的安全隐患,用成本相对较低的氮气代替氢气先对吸附柱反吹解析之后,再用氢气对吸附柱进行置换,这样处理可以有效节约氢气,降低生产成本及淋洗放空所带来的安全隐患。 | ||
申请公布号 | CN102284225A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
申请号 | CN201110160643.9 | 申请日期 | 2011.06.15 |
申请人 | 四川瑞能硅材料有限公司 | 发明人 | 沈伟;孙明炳 |
分类号 | B01D53/04(2006.01)I | 主分类号 | B01D53/04(2006.01)I |
代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人 | 徐宏;吴彦峰 |
主权项 | 一种多晶硅尾气干法分离系统吸附柱解析方法,其特征在于:包括如下步骤:a)先采用氮气对吸附柱反吹解析,b)再用氢气对吸附柱进行置换,c)反吹后带有大量氯硅烷的氮气或氢气通过循环水、制冷剂冷却,分离其中的氯硅烷之后,氮气或氢气送到残液处理车间淋洗放空。 | ||
地址 | 620041 四川省眉山市修文镇铝硅产业园 |