| 发明名称 | 一种高磁电阻值NiFe薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于磁性薄膜材料领域，特别是提供了一种高磁电阻值的NiFe薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/纳米金属颗粒/MgO/NiFe/MgO/纳米金属颗粒/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。本发明的有益效果是：该材料具有磁电阻值高、退磁场小、制备方便和热稳定性好等优点，同时在很大程度上解决了NiFe薄膜材料在超薄情况下磁电阻值比较低的问题，可用于制作计算机硬盘读头、磁性随机存储器和各类磁传感器等。 | ||
| 申请公布号 | CN102290193A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201110124341.6 | 申请日期 | 2011.05.13 |
| 申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 皇甫加顺;于广华;冯春;腾蛟;李宝河 |
| 分类号 | H01F10/14(2006.01)I;H01F41/08(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I;B32B15/02(2006.01)I | 主分类号 | H01F10/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人 | 刘淑芬 |
| 主权项 | 一种高磁电阻值的NiFe薄膜材料，其特征在于：磁电阻薄膜材料结构为缓冲层/ MgO/纳米金属颗粒/ MgO/ NiFe/ MgO/纳米金属颗粒/ MgO/保护层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号 | ||