发明名称 | 太阳能电池及其制造方法、以及形成杂质区的方法 | ||
摘要 | 公开了一种太阳能电池的制造方法。该制造方法包括以下步骤:在第一导电类型的基板上形成杂质层,所述杂质层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质;通过加热具有所述杂质层的所述基板,使用所述杂质层在所述基板中形成具有第一杂质浓度的第一射极部分;通过在所述杂质层的区域上照射激光束,使用所述杂质层在所述第一射极部分形成具有第二杂质浓度的第二射极部分,所述第二杂质浓度大于所述第一杂质浓度;并且形成连接到所述第二射极部分的第一电极以及连接到所述基板的第二电极。 | ||
申请公布号 | CN102292818A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
申请号 | CN201080005000.0 | 申请日期 | 2010.03.11 |
申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 崔荣嫮;张在元;金亨锡 |
分类号 | H01L31/0256(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0256(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;汤俏 |
主权项 | 一种形成太阳能电池的杂质区的方法,该方法包括以下步骤:在第一导电类型的基板上形成包含杂质的杂质层;以及通过在所述杂质层上照射激光束,使得所述杂质扩散到所述基板中。 | ||
地址 | 韩国首尔 |