| 发明名称 | 具有外延成长的应力引发源极与漏极区的金氧半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在具有第一区域(180)与第二区域(200)的半导体衬底(110)上和半导体衬底(110)中制造半导体装置(100)的方法。依照本发明的一个范例实施例，一种方法包括：形成第一栅极堆栈(124)以覆于该第一区域(180)上和第二栅极堆栈(128)以覆于该第二区域(200)上；将第一凹部(142)和第二凹部(142)蚀刻入该衬底(110)，该第一凹部(142)至少对准于该第一区域(180)中的该第一栅极堆栈(124)，而该第二凹部(142)至少对准于该第二区域(200)中的该第二栅极堆栈(128)；外延成长第一应力引发单晶材料(150)于该第一和第二凹部(142)中；从该第一凹部(142)去除该第一应力引发单晶材料(150)；以及，外延成长第二应力引发单晶材料(170)于该第一凹部(142)中；其中该第二应力引发单晶材料(170)具有与该第一应力引发单晶材料(150)不同的组成。 | ||
| 申请公布号 | CN102292811A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201080005507.6 | 申请日期 | 2010.01.25 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | R·波尔;F·B·杨 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种在具有第一区域(180)与第二区域(200)的半导体衬底(110)上和半导体衬底(110)中制造半导体装置(100)的方法，该方法包括下列步骤：形成第一栅极堆栈(124)以覆于该第一区域(180)上和第二栅极堆栈(128)以覆于该第二区域(200)上；将第一凹部(142)和第二凹部(142)蚀刻入该衬底(110)，该第一凹部(142)至少对准于该第一区域(180)中的该第一栅极堆栈(124)，而该第二凹部(142)至少对准于该第二区域(200)中的该第二栅极堆栈(128)；外延成长第一应力引发单晶材料(150)于该第一和第二凹部(142)中；从该第一凹部(142)去除该第一应力引发单晶材料(150)；以及外延成长第二应力引发单晶材料(170)于该第一凹部(142)中，其中，该第二应力引发单晶材料(170)具有与该第一应力引发单晶材料(150)不同的组成。 | ||
| 地址 | 英国开曼群岛 | ||