| 发明名称 | 半导体装置制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置(1)包括半导体芯片(3)以及形成在半导体芯片(1)上且与引线框电连接的源电极(3a)和栅电极(3a)。通过对形成在引线框端部处的薄膜形连接部分(4a)进行激光焊接，源电极(3a)与引线框电连接。这能够提供一种具有提高生产率和成品率的半导体装置(1)，其显示出较高的电可操作性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101009235B | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN200710004099.2 | 申请日期 | 2007.01.23 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 田中壮和;高桥康平 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：形成薄膜形连接区域，所述薄膜形连接区域是与外引线(4)电连接的连接部分(4a)的至少一部分，所述薄膜形连接区域的厚度比所述外引线(4)的厚度薄；并且通过激光焊接来焊接连接部分(4a)的所述薄膜形连接区域和半导体芯片(3)上的电极(3a)，其中所述薄膜形连接区域相对于所述电极(3a)的厚度比在5至30范围内。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||