包含偶联的电介质层和金属层的半导体器件、其制造方法和用于偶联半导体器件中的电介质层和金属层的材料

摘要

一种钝化偶联材料，其一方面用于使半导体器件中的电介质层钝化，另一方面用于在随后的处理步骤中允许或至少促进在其上的液相金属沉积。在一个具体实例中，所述电介质层可以是具有适宜地降低的介电常数k的多孔材料，并且所述钝化偶联材料提供基本上阻挡将环境水分吸附并且吸入到所述多孔电介质层中的空间屏蔽基团。所述钝化偶联材料还提供与不存在所述钝化偶联材料的金属沉积相比，促进金属在其上以液相形式沉积的金属成核部位。使用液相金属沉积处理促进随后制造所述半导体器件。在一个实例中，所述钝化偶联材料在其化学组成中具有多个Si原子，从而适宜地增加所述材料的热稳定性。

主权项

1.一种半导体器件，其包含：半导体衬底；和在所述半导体衬底上形成的钝化的电介质层，其中用钝化偶联材料使所述的电介质层钝化，所述偶联材料是根据下列通式的有机硅烷：其中：n是等于或大于1的整数；每一个Si为硅原子；X₁是能够与电介质材料的表面羟基部位反应的官能团；Y₁是下列的任一个：X₂，其是能够与电介质材料的表面羟基部位反应的另一个官能团，H，即氢原子，或R₁，其是有机非极性基团或支链；Y₂是下列的任一个：X₃，其是能够与电介质材料的表面羟基部位反应的另一个官能团，H，即氢原子，或R₂，其是有机非极性基团或支链；作为桥联基团的B，其存在是任选的；Z₁是下列的任一个：R₃，其是有机非极性基团或支链；H，即氢原子，或L₁，其是具有电子给体功能的配体并且能够用作金属成核部位，Z₂是下列的任一个：R₄，其是有机非极性基团或支链；H，即氢原子，或L₂，其是具有电子给体功能的配体并且能够用作金属成核部位，并且L为能够用作金属成核部位的配体。