一种弯曲形压电单晶片的制备方法

摘要

本发明公开了一种弯曲形压电单晶片的制备方法，该方法是首先选取基底材料，按所需尺寸切割；然后制作弯曲模具，采用冲压加工工艺，制得具有所需弯曲度和弯曲形状的基底材料；采用粘结剂将已极化的压电材料粘接在弯曲的基底材料的凸面上；将样品放入四角带定位孔的两平行金属板之间，施加压力，使弯曲基底材料的下表面与金属板完全接触，再用螺钉固定金属板；放入烘箱中固化；最后自然冷却至室温后取出即可。本发明的制备方法可以在低温下操作，最高制备温度只有100℃，且不需要对压电材料进行二次极化，还可以根据需要改变基底材料的弯曲度和弯曲形状。

主权项

一种弯曲形压电单晶片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)选取基底材料，按所需尺寸切割；b)制作弯曲模具，采用冲压加工工艺，制得具有所需弯曲度和弯曲形状的基底材料；c)采用粘结剂将弯曲的基底材料粘接在已极化的压电材料的凸面上；d)将样品放入四角带定位孔的两平行金属板之间，施加压力，使弯曲基底材料的下表面与金属板完全接触，再用螺钉固定金属板；e)放入烘箱中固化；f)自然冷却至室温后取出即可。