铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置

摘要

本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置，涉及硅锭热场装置及材料，在GT铸锭炉或四面及顶部加热器的铸锭炉内，在坩埚护板或坩埚外，设置有4面的保温层。所述保温层设置于下述位置或位置组合：所述保温层设置于下述位置或位置组合：固定在坩埚护板上，或固定在坩埚与护板之间，或固定在隔热笼上，或固定在加热器上，或固定在导热块上。保温层的设置高度为1～650mm。保温层厚度为0.01～100mm。本发明的有益效果在于：通过本方法的控制，可显著改善化料及生长等温曲线；进而可使晶种固化在炉底，不熔化或漂浮，同时可以进一步降低晶种高度，降低成本。通过本方法，可将晶种控制在20mm以下。

主权项

铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置，其特征在于：在GT铸锭炉或四面及顶部加热器的铸锭炉内，在坩埚护板或坩埚外，设置有4面的保温层。