发明名称 一种KNN基压电织构厚膜的制备方法
摘要 本发明属于无铅压电材料领域,涉及一种无铅压电织构厚膜及其制备方法。本发明的无铅压电织构厚膜的制备方法,包括下列步骤:制备基料;制备模板;将模板与基料按一定的比例配料置于研钵中进行研磨,加入配好的粘结剂后继续研磨制得浆料;把浆料进行丝网印刷获得膜片;将膜片切割后进行等静压;热处理后获得取向良好的无铅压电织构厚膜。本发明的制备方法所获得K0.5Na0.5NbO3基压电织构厚膜具有良好的取向度,有利于器件小型化、片式化的发展。
申请公布号 CN102285797A 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN201110153079.8 申请日期 2011.06.09
申请人 同济大学 发明人 翟继卫;付芳
分类号 C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/495(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 许亦琳;余明伟
主权项 一种K0.5Na0.5NbO3基压电织构厚膜的制备方法,包括如下步骤:(1)制备基料:制备K0.5Na0.5NbO3基粉体基料;(2)制备模板:采用熔盐法制备NaNbO3片状粉体模板;(3)将所述NaNbO3片状粉体模板和K0.5Na0.5NbO3基粉体基料混配并研磨2‑3小时,混合均匀后加入配好的粘结剂并继续研磨30‑60分钟,获得浆料;(4)将步骤(3)获得的浆料在带有Ag‑Pd底电极的氧化铝衬底上进行丝网印刷,获得印刷后的膜片,将印刷后的膜片烘干,再重复丝网印刷和烘干步骤3‑8次,得到厚度为25‑70μm的生坯,将生坯依次进行等静压处理、热处理后获得厚度为20‑50μm的K0.5Na0.5NbO3基压电织构厚膜。
地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号