发明名称 |
显示器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明揭示一种显示器件及其制造方法。一般希望在显示器件中将低电阻材料用于配线,但是到现在为止没有存在形成配线的有效方法。本发明的结构之一包括以下工序:形成第一导电膜;在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂;在第一导电膜及抗蚀剂上形成第二导电膜;在去除抗蚀剂的同时去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜;形成第三导电膜,使其覆盖形成在第一导电膜上的第二导电膜;选择性地蚀刻第一导电膜及第三导电膜;形成多个布线及电极。由此,由于可以在大型面板中形成用低电阻材料的布线,因此可以解决信号延迟等问题。 |
申请公布号 |
CN102290432A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201110170657.9 |
申请日期 |
2006.11.16 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
藤川最史;细谷邦雄 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
钱慰民 |
主权项 |
一种显示器件,其特征在于,包括:半导体膜;栅极布线;在所述半导体膜和所述栅极布线之间的栅极绝缘膜;以及与所述半导体膜电连接的源极或漏极布线,所述栅极布线的第一部分包括:第一导电膜和形成在所述第一导电膜之上的第二导电膜,其中所述第一导电膜的整个上表面与所述第二导电膜接触,并且所述栅极布线的第二部分包括:所述第一导电膜;选择性地形成在所述第一导电膜上的第三导电膜;以及形成所述第二导电膜,使其覆盖所述第三导电膜。 |
地址 |
日本神奈川县 |