集成光学波导干涉传感器

摘要

本发明涉及集成光学波导干涉仪，用于倏逝传感化学和/或物理量，包括带有波导层结构的基质，具有：夹在两个第一包层之间的第一波导芯层，所述第一包层由第一下包层和第一上包层（6）构成，其折射率比第一波导芯层的折射率低，夹在两个第二包层之间的第二波导芯层，所述第二包层由第二下包层和第二上包层（6）构成，其折射率比第二波导芯层的折射率低，分光器（2）和组合器（5），分别在第一和第二接点处光学耦合所述第二和第二波导芯层，其特征在于：聚合物包层材料（9）的调制部分，包含在多个第一上包层（6）之一和/或包含在多个第二上包层（6）之一里面，该聚合物包层材料覆盖第一和第二接点之间的第一波导芯层和/或第二波导芯层的可识别区域，所述聚合物包层材料的折射率在1.46至2.5之间并随温度变化，从而改变通过所述第一和第二波导芯层传播的辐射的相位，升高和降低所述聚合物包层材料（9）温度的装置。

主权项

集成光学波导干涉仪，用于倏逝传感化学和/或物理量，包括带有波导层结构的基质，具有：‑夹在两个第一包层之间的第一波导芯层，所述第一包层由第一下包层和第一上包层构成，其折射率比所述第一波导芯层的折射率低，‑夹在两个第二包层之间的第二波导芯层，所述第二包层由第二下包层和第二上包层构成，其折射率比所述第二波导芯层的折射率低，‑分光器和组合器，分别在第一和第二接点处光学耦合所述第一和第二波导芯层，其特征在于：‑聚合物包层材料的调制部分，包含在所述多个第一上包层之一和/或包括在所述多个第二上包层之一里面，所述聚合物包层材料覆盖位于所述第一和第二接点之间所述第一波导芯层和/或所述第二波导芯层的可识别区域，所述聚合物包层材料的折射率在1.46和2.5之间并随温度变化，从而改变通过所述第一和第二波导芯层传播的辐射的相位，‑升高和降低所述聚合物包层材料温度的装置。