图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种图像传感器的制造方法，包括步骤：提供带有绝缘埋层的半导体衬底；选定图像传感器的感光二极管区域，依次刻蚀顶层半导体层和绝缘层至露出支撑衬底表面；对露出的支撑衬底进行离子注入和扩散形成隔离区以及隔离区内包围的阱区；在阱区上掺杂形成第一掺杂区，期与阱区之间留有用于互连的空间；制作信号读出电路。相应地，本发明还提供一种图像传感器，将感光二极管区域被重掺杂的隔离区包围，通过隔离区可产生更深的耗尽区，提供光吸收效率，同事对辐照在支撑衬底中产生的电子空穴起到隔离作用，提高其抗辐照性能。

主权项

一种图像传感器制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，其自上而下依次包括顶层半导体层、绝缘层和支撑衬底；选定所述图像传感器的感光二极管区域，依次刻蚀该区域内所述顶层半导体层和所述绝缘层，至露出所述支撑衬底表面；对所述露出的支撑衬底进行离子注入和扩散，在所述支撑衬底中形成隔离区以及所述隔离区内包围的阱区，其中，所述隔离区为第一导电类型掺杂，所述阱区为第二导电类型掺杂；在所述阱区上进行第一导电类型半导体掺杂形成第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述阱区之间具有一间隔，用于实现金属互连；制作信号读出电路，形成所述图像传感器。