移相全桥电路及其控制方法

摘要

本发明公开了一种移相全桥电路的控制方法，将移相全桥电路的一个工作周期分为如下10个阶段。其中OA、OB、OC、OD、OE、OF分别为MOS管Q1～Q6的外加栅极电压。该方法将OE、OC同时上升改为先后上升，将OF、OD同时上升改为先后上升，从而使得轻载条件下移相全桥电路也可实现软开关。本发明还公开了所述控制方法适用的移相全桥电路，只需在变压器一次侧为全桥结构且变压器二次侧为同步整流结构即可，这种电路可以省略变压器一次侧的谐振电感和箝位二极管，从而降低系统成本，减小系统体积，提高系统的效率。

主权项

一种移相全路电路的控制方法，其特征是，将移相全桥电路的一个工作周期分为如下10个阶段；其中OA、OB、OC、OD、OE、OF分别为MOS管一到MOS管六(Q1～Q6)的外加栅极电压，V_TX为变压器(TX)的一次电压，I_TX为变压器(TX)的一次电流；阶段1：OA、OD、OF为高电平，OB、OC、OE为低电平，MOS管一(Q1)、MOS管四(Q4)、MOS管六(Q6)导通，V_TX为正，I_TX增加；阶段2：OD变为低电平，MOS管四(Q4)关断，变压器(TX)原边漏感与MOS管三(Q3)漏源极之间的寄生电容、MOS管四(Q4)漏源极之间的寄生电容产生谐振，MOS管四(Q4)漏源极之间的电压开始上升，即，MOS管三(Q3)漏源极之间的电压开始下降；V_TX下降，I_TX继续增加；阶段3：OE变为高电平，MOS管五(Q5)、MOS管六(Q6)同时导通；此时，变压器(TX)副边短路，I_TX迅速上升；阶段4：OC变为高电平，此时，MOS管一(Q1)、MOS管三(Q3)导通，由MOS管一到MOS管四(Q1～Q4)组成的全桥结构进入续流模式，V_TX为零，I_TX缓慢减小；阶段5：OA变为低电平，MOS管一(Q1)关断，变压器(TX)原边的漏感与MOS管一Q1漏源极之间的寄生电容、MOS管二(Q2)漏源极之间的寄生电容产生谐振，MOS管一(Q1)漏源极之间的电压开始上升，即，MOS管二(Q2)漏源极之间的电压开始下降；V_TX反向上升，I_TX减小并反向；阶段6：OB变为高电平，此时，MOS管二(Q2)、MOS管三(Q3)导通，V_T为负，I_TX反向增加；与此同时OF变为低电平，MOS管六(Q6)关断；阶段7：OC变为低电平，MOS管三(Q3)关断，变压器(TX)原边漏感与MOS管三(Q3)漏源极之间的寄生电容、MOS管四(Q4)漏源极之间的寄生电容产生谐振，MOS管三(Q3)漏源极之间的电压开始上升，即，MOS管四(Q4)漏源极之间的电压开始下降；V_TX下降，I_TX继续增加；阶段8：OF变为高电平，MOS管五(Q5)、MOS管六(Q6)同时导通；此时，变压器(TX)副边短路，I_TX迅速上升；阶段9：OD变为高电平，此时，MOS管二(Q2)、MOS管四(Q4)导通，由MOS管一到MOS管四(Q1～Q4)组成的全桥结构进入续流模式，V_TX为零，I_TX缓慢减小；阶段10：OB变为低电平，MOS管二(Q2)关断，变压器(TX)原边的漏感与MOS管一(Q1)漏源极之间的寄生电容、MOS管二(Q2)漏源极之间的寄生电容产生谐振，MOS管二(Q2)漏源极之间的电压开始上升，即，MOS管一(Q1)漏源极之间的电压开始下降；V_TX反向上升，I_TX减小并反向。