薄膜晶体管制造方法和显示装置

摘要

在其中要在基板1上形成栅电极4的薄膜晶体管的制造方法中，该方法具有以下步骤：在基板1上形成栅电极4；以覆盖所述栅电极4的方式形成金属氧化物层7；形成源电极6和漏电极5；以及在惰性气体中实施退火，以将金属氧化物层7的一部分变成沟道区域。

主权项

一种用于制造其中要在基板上形成栅电极的薄膜晶体管的方法，该方法包括以下步骤：在所述基板上形成所述栅电极；以覆盖所述栅电极的方式形成金属氧化物层，所述金属氧化物层包含Zn，还包含In、Ga、Al、Fe、Sn、Mg、Ca、Si和Ge中的至少一种，所述金属氧化物层具有大于或等于108Ω·cm并且小于或等于1010Ω·cm的电阻率，并且为非晶的；形成源电极和漏电极；以及在惰性气体中以150℃～250℃的范围中的温度实施热处理，以将所述金属氧化物层的一部分变成沟道区域，所述沟道区域是非晶的并且具有大于或等于101Ω·cm并且小于或等于107Ω·cm的电阻率。