发明名称 |
一种带有聚焦栅极的碳纳米管场发射阵列 |
摘要 |
一种带有聚焦栅极的碳纳米管场发射阵列,包括基板、位于基板上的栅极底电极,绝缘层薄膜、作为阴极的网格状碳纳米管阵列,作为栅极的点状碳纳米管阵列,网格状碳纳米管阵列阴极的底电极在绝缘层薄膜上;绝缘层薄膜位于阴极的底电极和栅极底电极之间,点状碳纳米管位于网格状碳纳米管阵列网格状孔的中心位置,点状碳纳米管与栅极底电极电学相连。本方案给碳纳米管阵列中每一个碳纳米管单元都设置一个聚焦电极,得到发射电子束束径小的场发射阴极。适用于对电子束束径要求较高的场发射器件,例如,X射线源、微波放大器、场发射扫描电子显微镜等中的电子源。 |
申请公布号 |
CN102290304A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201110224200.1 |
申请日期 |
2011.08.07 |
申请人 |
张研;李驰 |
发明人 |
张研;李驰;戴迪尔·普里巴特 |
分类号 |
H01J1/304(2006.01)I;H01J1/48(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;H01J9/14(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
陈建和 |
主权项 |
一种带有聚焦栅极的碳纳米管场发射阵列,其特征是包括基板、位于基板上的栅极底电极,绝缘层薄膜、作为阴极的网格状碳纳米管阵列,作为栅极的点状碳纳米管阵列,网格状碳纳米管阵列阴极的底电极在绝缘层薄膜上;绝缘层薄膜位于阴极的底电极和栅极底电极之间,点状碳纳米管位于网格状碳纳米管阵列网格状孔的中心位置,点状碳纳米管与栅极底电极电学相连。 |
地址 |
210096 江苏省南京市四牌楼2号显示技术研究中心101室 |