| 发明名称 | 分解绝缘体上半导体型结构的外周环中的氧化物层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种处理绝缘体上半导体型结构的方法，所述结构接连包括载体衬底、氧化物层(2)和半导体材料的薄层(3)，所述结构具有露出所述氧化物层(2)的外周环，所述方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理。所述方法在所述主要热处理之前包括覆盖至少所述氧化物层(2)的暴露外周部分的步骤，所述主要热处理是在受控的时间和温度条件下进行的，以便促进所述氧化物层(2)的至少一部分氧通过薄半导体层(3)扩散，导致所述氧化物层(2)的厚度的受控降低。 | ||
| 申请公布号 | CN102292809A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN200980155187.X | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | D·朗德吕;F·格里蒂;E·吉奥特;O·科农丘克;C·韦蒂祖 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种处理绝缘体上半导体型结构的方法，所述结构连续包括载体衬底(1)、氧化物层(2)和半导体材料的薄层(3)，所述结构具有露出所述氧化物层(2)的外周环，所述方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理，其特征在于，所述方法在所述主要热处理之前包括覆盖至少所述氧化物层(2)的暴露外周部分的步骤，所述主要热处理是在受控的时间和温度条件下进行的，以便促进所述氧化物层(2)的至少一部分氧通过薄半导体层(3)扩散，从而导致所述氧化物层(2)的厚度的受控降低。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||