| 发明名称 | 晶体管组件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管组件及其制造方法，该组件包括：一半导体基板、一汲极、一源极、一闸极金属晶种层，系形成于该半导体基板之上，其具有一凝胶状物质层及复数金属晶种及一肖特基接触金属闸极，系形成于该闸极金属晶种层之上。该方法包括：步骤A：提供一半导体基板；步骤B：形成一汲极及一源极于该半导体基板之上；步骤C：定义出一闸极金属晶种层在该半导体基板上之区域；步骤D：进行敏化与活化程序，形成该闸极金属晶种层，于该半导体基板之上；及步骤E：进行无电镀程序，形成一肖特基接触金属闸极于该闸极金属晶种层之上。 | ||
| 申请公布号 | CN102290445A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201110131508.1 | 申请日期 | 2011.05.20 |
| 申请人 | 刘文超 | 发明人 | 刘文超;陈慧英;陈利洋;黄建彰 |
| 分类号 | H01L29/812(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;C23C18/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/812(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京高默克知识产权代理有限公司 11263 | 代理人 | 汪振中 |
| 主权项 | 一种晶体管组件，其包括：一半导体基板；一汲极，系形成于该半导体基板之上；一源极，系形成于该半导体基板之上，且不重迭于该汲极；一闸极金属晶种层，系形成于该半导体基板之上，且不重迭于该汲极及该源极，其具有一凝胶状物质层及复数金属晶种；及一肖特基接触金属闸极，系形成于该闸极金属晶种层之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾台南市大学路1号 | ||