一种制备高密度硅纳米孔阵列的方法

摘要

本发明涉及一种制备高密度硅纳米孔阵列的方法，采用金属辅助化学刻蚀工艺，以Pt纳米晶作为催化剂，在氢氟酸和双氧水的混合溶液中刻蚀硅片，从而制备出高密度硅纳米孔阵列；其中，该Pt纳米晶是通过对磁控溅射生长的厚度为纳米级的超薄Pt薄膜进行高温快速热退火获得的。本发明以金属辅助化学刻蚀工艺制备高密度硅纳米孔阵列，工艺简单，其中高温快速热退火持续时间短，热预算低，同时金属辅助化学刻蚀无需外加电源，可以自发进行，可以获得密度超过1.0×1010cm-2的硅纳米孔阵列，整个工艺制备成本较低，有望大批量生产。

主权项

一种制备高密度硅纳米孔阵列的方法，其特征在于，该方法采用Pt金属辅助化学刻蚀工艺，以Pt纳米晶作为催化剂，在氢氟酸和双氧水的混合溶液中刻蚀硅片，从而制备出高密度硅纳米孔阵列；所述的Pt纳米晶是通过对磁控溅射生长的厚度为纳米级的超薄Pt薄膜进行高温快速热退火获得的；所述的高密度硅纳米孔阵列是指密度超过1.0×1010cm 2的硅纳米孔阵列。