光致抗蚀剂组合物及利用它制备薄膜晶体管基底的方法

摘要

光致抗蚀剂组合物包含约10～70％重量的含有苯酚-基聚合物的粘合剂树脂、约0.5～10％重量的光-酸发生剂、约1～20％重量的交联剂、约0.1～5％重量的染料和约10～80％重量的溶剂。该光致抗蚀剂组合物可以应用于例如制备TFT基底的方法。

主权项

一种制备薄膜晶体管(TFT)基底的方法，该方法包括：在基底上形成第一金属层，并通过光刻工艺由第一金属层形成栅极图案；在栅极图案上沉积绝缘层、半导体层、第二金属层和光致抗蚀剂薄膜；在光致抗蚀剂薄膜上布置具有狭缝曝光部分的掩膜，并曝光光致抗蚀剂薄膜；显影光致抗蚀剂薄膜除去该光致抗蚀剂薄膜的未曝光的部分以暴露第二金属层，并蚀刻所暴露的第二金属层和半导体层，其中剩余的光致抗蚀剂薄膜的边缘部分具有不小于90°的尖角；首次剥离剩余的光致抗蚀剂薄膜，以暴露剩余的第二金属层的一部分；蚀刻剩余的第二金属层的暴露部分，以暴露剩余的半导体层的一部分并形成源极和漏极；蚀刻暴露在源极和漏极之间的剩余的半导体层的一部分；及二次剥离剩余的光致抗蚀剂薄膜，以完全除去剩余的光致抗蚀剂薄膜，其中所述光致抗蚀剂薄膜是通过下列步骤形成的：在第二金属层上涂布光致抗蚀剂组合物，及在70～110℃的温度下预烘焙光致抗蚀剂组合物1～15分钟，其中所述光致抗蚀剂组合物包含：10～70％重量的含有苯酚‑基聚合物的粘合剂树脂；0.5～10％重量的光‑酸发生剂；1～20％重量的交联剂；0.1～5％重量的染料；及10～80％重量的溶剂。