薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一绝缘基底；形成一碳纳米管层于所述绝缘基底表面，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，进而形成一半导体层；间隔形成一源极及一漏极于所述半导体层表面，并使该源极及漏极与上述半导体层中的部分碳纳米管的两端电连接；形成一绝缘层于所述形成有源极和漏极的半导体层表面；以及形成一栅极于所述绝缘层表面，得到一薄膜晶体管。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底上生长一带状碳纳米管阵列，处理所述带状碳纳米管阵列，使该带状碳纳米阵列沿垂直于该带状碳纳米管阵列长度的方向倾倒，从而在该绝缘基底表面形成一包括多个碳纳米管的半导体层；间隔形成一源极及一漏极于所述半导体层表面，并使该源极及漏极与上述半导体层中的部分碳纳米管的两端电连接；形成一绝缘层于所述形成有源极和漏极的半导体层表面；以及形成一栅极于所述绝缘层表面，得到一薄膜晶体管。