发明名称 |
一种采用掩模制备保护太阳电池细栅线金属电极的彩色薄膜的方法 |
摘要 |
一种采用掩模制备保护太阳电池细栅线金属电极的彩色薄膜的方法,该方法是在制备太阳电池后,在太阳电池前表面利用掩模对主栅线金属电极进行覆盖,在未被掩模覆盖的区域进行二次镀膜,制备保护细栅线金属电极的介质层,形成介质层-细栅线金属电极-钝化层结构。本发明方法可保护细栅线金属电极不易氧化,主栅线金属电极进行正常焊条连接;通过优化钝化层,可以增强前表面的钝化效果;通过调控介质层,可降低太阳电池前表面的反射率和实现颜色调控;通过改变掩模图案,可在电池前表面显示汉字、数字及图形等,且二次镀膜方法便与现有晶体硅太阳电池制备工艺对接,易于产业化。 |
申请公布号 |
CN101834230B |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201010168604.9 |
申请日期 |
2010.04.30 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
沈辉;陈奕峰;许欣翔;梁学勤 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
广州知友专利商标代理有限公司 44104 |
代理人 |
李海波 |
主权项 |
一种采用掩模制备保护太阳电池细栅线金属电极的彩色薄膜的方法,其特征在于,在太阳电池的前表面形成钝化层,再在钝化层上形成细栅线金属电极和主栅线金属电极之后,利用掩模对主栅线金属电极进行覆盖,在未被掩模覆盖的区域进行二次镀膜,制备保护细栅线金属电极的介质层,形成介质层‑细栅线金属电极‑钝化层结构。 |
地址 |
510275 广东省广州市新港西路135号 |