发明名称 |
DOPADO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES PARTICULADOS. |
摘要 |
Un método para dopar partículas semiconductoras para cambiar la concentración de vehículo y/o el tipo del material semiconductor, comprendiendo el método mezclar una cantidad de partículas semiconductoras, que tienen un tamaño de partícula en el intervalo de 1 nm a 100 µm, con una sal iónica o una preparación de sales iónicas, de modo que capa partícula semiconductora como un todo se dopa mediante adsorción o absorción de una o más especies iónicas de la sal iónica o la preparación de sales iónicas.
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申请公布号 |
ES2370519(T3) |
申请公布日期 |
2011.12.19 |
申请号 |
ES20060779969T |
申请日期 |
2006.08.23 |
申请人 |
UNIVERSITY OF CAPE TOWN |
发明人 |
BRITTON, DAVID THOMAS;HAERTING, MARGIT |
分类号 |
C30B31/00;C09D11/00;H01L21/00 |
主分类号 |
C30B31/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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