发明名称 IN DREI DIMENSIONEN INTEGRIERTER TRANSISTORSCHALTKREIS MIT EINER DYNAMISCH ANPASSBAREN SCHWELLENSPANNUNG (VT)
摘要
申请公布号 AT536636(T) 申请公布日期 2011.12.15
申请号 AT20090161129T 申请日期 2009.05.26
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 BATUDE, PERRINE;CLAVELIER, LAURENT;JAUD, MARIE-ANNE;THOMAS, OLIVIER;VINET, MAUD
分类号 H01L27/11;H01L21/8244;H01L27/06 主分类号 H01L27/11
代理机构 代理人
主权项
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