发明名称 |
Halbleiter-Bauelement und Herstellungsverfahren |
摘要 |
Auf einem Wafer wird eine Polymerschicht (6) hergestellt. Der Wafer wird dann in Halbleiterchips (1) zerlegt. Mindestens zwei Halbleiterchips (1) werden auf einem Träger platziert, wobei die Polymerschicht (6) dem Träger zugewandt ist. Die mindestens zwei Halbleiterchips (1) werden mit einem Kapselungsmaterial bedeckt, um eine Vergussmasse (2) auszubilden. Der Träger wird von der Vergussmasse (2) entfernt und die Vergussmasse (2) und die Polymerschicht (6) werden verdünnt. |
申请公布号 |
DE102011001402(A1) |
申请公布日期 |
2011.12.15 |
申请号 |
DE20111001402 |
申请日期 |
2011.03.18 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SEZI, RECAI;MEYER, THORSTEN |
分类号 |
H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/522 |
主分类号 |
H01L21/56 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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