| 摘要 |
Bei einem Herstellungsverfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, die einen Spulenlagenabschnitt (21) auf einem Substrat (10) aufweist, werden zwei Trägersubstrate (80), die jeweils eine flache Oberfläche aufweisen, vorbereitet, und es wird ein Komponentenelement (30, 40, 50, 60) auf der flachen Oberfläche von jedem der Trägersubstrate (80) ausgebildet. Das Komponentenelement (30, 40, 50, 60) weist einen Verdrahtungsabschnitt (32, 42, 52, 62) mit einem vorbestimmten Muster und einen isolierenden Film (31, 41, 51, 61) auf, der den Verdrahtungsabschnitt (32, 42, 52, 62) umgibt. Der Verdrahtungsabschnitt (32, 42, 52, 62) ist mit einem verbindenden Abschnitt (32a, 32b, 42a, 42b, 52a, 52b, 62a, 62b) umgeben, der gegenüber dem isolierenden Film (31, 41, 51, 61) freiliegt. Ein Spulenlagenabschnitt (21) ist dadurch gebildet, dass die Komponentenelemente (30, 40, 50, 60), die an den Trägersubstraten (80) gebildet sind, einander gegenübergelegt und miteinander verbunden werden, während Druck in einem Zustand ausgeübt wird, bei dem die flachen Oberflächen der Trägersubstrate (80) parallel zueinander liegen. Eine Spule (20) ist in dem Spulenlagenabschnitt (21) dadurch gebildet, dass die Verdrahtungsabschnitte (32, 42, 52, 62) durch die verbindenden Abschnitte (32a, 32b, 42a, 42b, 52a, 52b, 62a, 62b) verbunden werden.
|
