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发明名称 VERFAHREN ZUR HERSTLLUNG SELBSTAUSGERICHTETEN TRANSISTORTOPOLOGIEN IN SILIZIUMKARBID DURCH VERWENDUNG SELEKTIVER EPITAXIE
摘要
申请公布号 AT535010(T) 申请公布日期 2011.12.15
申请号 AT20020806537T 申请日期 2002.07.12
申请人 MISSISSIPPI STATE UNIVERSITY 发明人 CASADY, JEFFREY;CARTER, GEOFFREY;KOSHKA, YAROSLAV;MAZZOLA, MICHAEL;SANKIN, IGOR
分类号 H01L21/04;H01L21/331;H01L29/24;H01L29/732;H01L29/739;H01L29/80;H01L29/861 主分类号 H01L21/04
代理机构 代理人
主权项
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