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Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer stegartigen Halbleiterbauteilstruktur bereitgestellt. Das Verfahren beginnt mit dem Bereitstellen eines Substrats mit einem Halbleitervollmaterial. Das Verfahren geht weiter, indem eine Halbleiterstegstruktur aus dem Halbleitervollmaterial hergestellt wird, indem ein isolierendes Material über der Halbleiterstegstruktur abgeschieden wird derart, dass das isolierende Material den Raumbereich benachbart zu der Halbleiterstegstruktur auffüllt, und indem das abgeschiedene isolierende Material und die Halbleiterstegstruktur eingeebnet werden, so dass eine ebene Oberfläche erzeugt wird. Daraufhin wird ein Austauschgateverfahren ausgeführt, um eine Gatestruktur quer über der Halbleiterstegstruktur zu bilden.
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