Optoelektronische Transistorkontur (Transistor Outline, TO)-Hülsensockelbaugruppe, welche eine Konfiguration aufweist, die die Wärmedissipation verbessert und einen thermischen Widerstand reduziert

摘要

Eine TO-Hülsensockelbaugruppe wird bereitgestellt, die verbesserte Wärmedissipations- und thermische Widerstandscharakteristiken aufweist. Die TO-Hülsensockelbaugruppe umfasst einen relativ großen keramischen Wärmedissipationsblock, der sowohl als Träger für die Laserdiode als auch als Wärmedissipationsvorrichtung fungiert. Der keramische Wärmedissipationsblock ist in Kontakt mit der oberen Montageoberfläche des Sockels, um zu erlauben, dass ein relativ großer Betrag an Wärme schnell von der Laserdiode durch den Wärmedissipationsblock und in die obere Montageoberfläche des Sockels geht. Die zylindrische Seitenwand des Sockels ist glatt anstatt gekerbt zu sein, und mindestens ein wesentlicher Teil der glatten zylindrischen Seitenwand ist in kontinuierlichem Kontakt mit einer externen Wärmesenkenvorrichtung. Wärme bewegt sich schnell von dem Sockel in die externe Wärmesenkenvorrichtung, wo sie dissipiert wird, und reduziert dadurch den thermischen Widerstand des Sockels.