功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺

摘要

本发明提供了功率沟槽式MOS场效应管制作工艺，增加制作出的功率沟槽式MOS场效应管的栅氧化层底部拐角处及底部的厚度，降低泄漏电流，提高器件性能。本发明提供的一种功率沟槽式MOS场效应管制作工艺流程中，采用氧化速率受晶向影响较小或不受其影响的工艺制作栅氧化层，降低不同晶向上栅氧化层厚度的差异，提高栅氧化层质量，降低制作出的功率沟槽式MOS场效应管泄漏电流，提高器件性能。

主权项

一种功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底中制作出沟槽；在沟槽表面及衬底表面制作牺牲氧化层；去除牺牲氧化层；采用化学气相沉积工艺在沟槽表面及衬底表面沉积栅氧化层；在栅氧化层上沉积多晶硅；去除沟槽外的栅氧化层及多晶硅；依次掺杂形成沟道区及源掺杂区，并完成栅电极、源电极和漏电极的制作。