NVM器件制备中光刻对准记号的制备方法

摘要

本发明公开了一种NVM器件制备中光刻对准记号的制备方法，该NVM器件中包括隧穿层和多个不同厚度的栅氧区，包括先是采用DCMP工艺制备STI结构，而后在制备隧穿层和多个不同厚度栅氧区的过程中，分别追加对光刻对准记号的刻蚀，使得最终形成的台阶高度能满足后续光刻对准工艺的需求。

主权项

一种NVM器件制备中光刻对准记号的制备方法，所述NVM器件中包括隧穿层和多个不同厚度的栅氧，其特征在于：使用直接化学机械研磨工艺进行STI结构的制备，在衬底上形成场区和有源区，同时在所述场区形成光刻对准记号；在进行NVM器件中隧穿层的制备过程中，利用光刻工艺在先形成的氧化膜上定义出隧穿区和光刻对准记号的位置，接着刻蚀上述两个位置处的氧化膜至隧穿区的硅衬底表面，同时使光刻对准记号处的台阶加深，而后使隧穿区的硅衬底氧化生成隧穿层；在进行NVM器件中多个不同厚度的栅氧区的制备过程中，先在形成了制备栅氧前所有结构的衬底表面生长多个不同厚度中厚度最大的氧化层，接着利用光刻工艺定义出多个不同厚度中次厚的栅氧区和光刻对准记号的位置，使所述次厚的栅氧区和光刻对准记号位置处的氧化层暴露出来，而后刻蚀上述两个位置处的氧化层至次厚栅氧区的硅衬底表面，同时使光刻对准记号处的台阶加深，之后使次厚栅氧区的硅衬底氧化生成预定厚度的栅氧；依照从次厚到最薄的次序采用相同方法制备出不同厚度的栅氧区以及每次制备过程中均使所述光刻对准记号处的台阶进一步加深。