| 发明名称 | 深沟槽二次刻蚀接触孔及刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种深沟槽接触孔二次刻蚀方法，包括以下步骤：1、接触孔曝光；2、第一次深槽接触孔刻蚀；3、去胶，第二次深槽接触孔刻蚀；4、形成连接层；其中，第二次深槽接触孔刻蚀的气流量为3000—4000标准立方厘米，气流速度为150—200标准立方厘米/秒。本发明还公开了一种深沟槽二次刻蚀接触孔，接触孔上面宽下面窄，且接触孔侧面表面连续，不存在断裂。本发明方法形成比较光滑的瓶塞状，解决了金属填充的断层与空洞等问题。更改金属与硅之间连接层工艺，减小器件漏电，调节出满足性能要求的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101740468B | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN200810044011.4 | 申请日期 | 2008.11.25 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李江华;张朝阳;孙效中;薛浩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种深沟槽接触孔二次刻蚀方法，包括以下步骤：第一步，接触孔曝光；第二步，第一次深槽接触孔刻蚀；第三步，去胶，第二次深槽接触孔刻蚀；第四步，形成连接层；其特征在于，第二次深槽接触孔刻蚀的气流量为3000‑4000标准立方厘米，气流速度为150‑200标准立方厘米/秒。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||