| 发明名称 | 混合式薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种混合式薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板。混合式薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一半导体层，第一半导体层位于第一栅极以及第一源极与第一漏极之间，且第一半导体层包括结晶硅层。第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及第二半导体层，第二半导体层位于第一栅极以及第一源极与第一漏极之间，且第二半导体层包括金属氧化物半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102280491A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201110215298.4 | 申请日期 | 2011.07.25 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 谢秀春;陈亦伟;邱大维;陈崇道 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;王颖 |
| 主权项 | 一种混合式薄膜晶体管，其特征在于，包括：一第一薄膜晶体管与一第二薄膜晶体管；该第一薄膜晶体管，其包括：一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极；以及一第一半导体层，该第一半导体层位于该第一栅极以及该第一源极与该第一漏极之间，其中该第一半导体层包括一结晶硅层；以及该第二薄膜晶体管，其包括：一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极；以及一第二半导体层，该第二半导体层位于该第一栅极以及该第一源极与该第一漏极之间，其中该第二半导体层包括一金属氧化物半导体材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 | ||