发明名称 |
制造电子装置的方法及电子装置 |
摘要 |
本发明提供一种制造电子装置的方法以及电子装置,该电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设有抗蚀图。所述方法包括以下步骤:在基板上通过涂敷形成处于覆盖薄膜晶体管的状态的抗蚀膜,通过对抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图,并在薄膜晶体管的沟道部分不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下,在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射抗蚀图,其中,在以至少紫外光和可见光之一照射之后实施热硬化抗蚀图的步骤。使用所述方法可以避免在热硬化期间抗蚀材料回流,且抗蚀图的表面形状保持为通过曝光和显影被图形化后的形状。所述电子装置用所述方法形成,至少在P沟道型的薄膜晶体管的沟道部分上设有适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜。 |
申请公布号 |
CN101447460B |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN200810178424.1 |
申请日期 |
2008.11.26 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
永泽耕一;山口贵司;尾崎靖尚;金谷康弘;武田浩久;三上康男;武藤佳史 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
褚海英;武玉琴 |
主权项 |
一种制造电子装置的方法,所述电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设置有抗蚀图,所述方法包括以下步骤:在所述基板上通过涂敷形成处于覆盖所述薄膜晶体管的状态的抗蚀膜;通过对所述抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图;以及在所述薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射的条件下,在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图,其中,在所述的以至少紫外光和可见光之一进行照射之后实施热硬化所述抗蚀图的步骤。 |
地址 |
日本东京 |