发明名称 用于读取无源矩阵可寻址器件的方法和器件
摘要 在一种用于读取无源矩阵可寻址器件、尤其是一种具有可极化材料的各个可寻址单元的存储器器件或传感器器件的方法中,每个单元中的各单元以两种极化状态+Pr;-Pr之一的方式来存储数据,在每个单元中通过在垂直电极矩阵中形成字线和位线(WL;BL)的电极的寻址来写入和读出单元的极化状态,并且其中在字线和位线(WL;BL)之间的交点中或交点处设置单元,采用电压脉冲协议,并根据该电压脉冲协议以时间调整的方式控制所有字线和位线上的电位,在读取期间通过施加电压来激活字线(WL),该电压相对于所有相交的位线(BL)上的电位对应于电压VS,并且通过在检测装置(SA)中检测单元的电荷值来确定连接到该激活字线(AWL)的单元中存储的数据。在用于执行该方法的器件中,通过具有与其连接的控制装置来以时间调整的方式控制所有字线和位线(WL;BL)上的电位,该控制装置执行用于执行电压脉冲协议。应用于无源矩阵可寻址存储器和传感器器件。
申请公布号 CN1701386B 申请公布日期 2011.12.14
申请号 CN02823792.7 申请日期 2002.10.29
申请人 薄膜电子有限公司 发明人 P·布罗姆斯;C·卡尔松
分类号 G11C11/22(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I;G11C8/18(2006.01)I 主分类号 G11C11/22(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 傅康;张志醒
主权项 一种用于读取无源矩阵可寻址器件的方法,所述无源矩阵可寻址器件是具有用于存储由单元中设置的电荷值给定的逻辑值的各个可寻址单元的存储器器件,其中所述存储器器件包括呈现磁滞现象的电可极化材料,其中所述存储器器件包括用在所述存储器器件中分别形成字线和位线的平行电极而设置的第一和第二电极,其中相互垂直地设置字线电极和位线电极并且所述字线电极和位线电极接触所述电可极化材料,所述电可极化材料被设置为夹在所述字线电极和所述位线电极之间的整体层,以致所述存储器器件的单元包括在字线和位线之间的交点处以所述电可极化材料的体积限定出的电容器式结构,其中通过在寻址所述单元的字线和位线之间施加大于所述电可极化材料的矫顽电压Vc的电压Vs,所述存储器器件中的单元能够被设置为两种极化状态之一或在这些极化状态之间进行切换,其中每个位线与检测装置连接,其中所述方法包括:具有读周期的电压脉冲协议,以便在所述读周期期间,每个检测装置检测在其相关的位线和与该位线相连接的单元之间流动的电荷,并且其中所述方法的特征在于:根据所述电压脉冲协议以时间协调的方式来控制所有字线和位线上的电位,所述电压脉冲协议包括用于在所有字线和位线上的电位的时钟序列,由此至少在所述读周期的一部分期间,通过施加的电位来激活字线,其中所述施加的电位和所有相交位线的电位之间的电位差等于所述电压Vs,并且通过在所述检测装置中检测电荷值来确定与激活的字线连接的各个单元中存储的逻辑值。
地址 挪威奥斯陆