稳定等离子体处理的方法和设备

摘要

本发明提供一种利用空间分布经修改(spatially modified)的等离子体蚀刻衬底的方法和设备。在一个实施例中，该方法包括提供在衬底支承底座上方配置有等离子体稳定器的处理腔室。衬底被放置到底座上。处理气体被引入处理腔室，而等离子体就由此处理气体形成。用等离子体蚀刻衬底，而该等离子体具有由等离子体稳定器限定的离子密度与原子团密度比。

主权项

一种等离子体蚀刻设备，其包括：处理腔室；位于所述处理腔室中的衬底支承底座；用来在所述腔室内形成等离子体的RF电源；和等离子体稳定器，其位于所述腔室内所述衬底支承底座上方，并适合于控制等离子体的带电物质与电中性物质的空间分布，其中所述等离子体稳定器还包括：与所述处理腔室电绝缘的平板；穿过所述平板形成的多个孔眼，其中所述多个孔眼以方格网图案布置；和将所述平板支撑在所述衬底支承底座上方的多个支柱。