| 发明名称 | 一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法，低掺杂砷化镓层在InGaAs沟道及AlGaAs势垒层上；高掺杂砷化镓层在低掺杂砷化镓层；高掺杂砷化镓层上的源电极和与源电极间有漏电极；源电极和漏电极之间去除高掺杂砷化镓层提供A凹槽；该凹槽及高掺杂砷化镓层表面提供介质层；在A凹槽中去除低掺杂砷化镓层以提供B凹槽；栅电极金属位于介质层及B凹槽上。制作方法，利用MBE的方法形成InGaAs/AlGaAs/GaAs异质结材料，利用干法及湿法形成凹槽，利用等离子体增强化学汽相、蒸发方法形成介质层，制成双凹槽砷化镓赝配高电子迁移率晶体管。优点：T型栅的寄生电容减小，提高器件的频率特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102280476A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201110224351.7 | 申请日期 | 2011.08.08 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 章军云;高建峰;林罡 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
| 主权项 | 一种赝配高电子迁移率晶体管，其特征是低掺杂砷化镓层（4）在InGaAs沟道及AlGaAs势垒层（3）上；高掺杂砷化镓层（5）在低掺杂砷化镓层（4）；高掺杂砷化镓层（5）上的源电极（6）和与源电极间有漏电极（7）；源电极(6)和漏电极(7)之间去除高掺杂砷化镓层（5）提供一A凹槽(8) ；该凹槽(8)及高掺杂砷化镓层（5）表面提供介质层（9）；在A凹槽(8)中去除低掺杂砷化镓层（4）以提供另一B凹槽(13)；栅电极金属（14）位于介质层（11）及B凹槽(13)上。 | ||
| 地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 | ||