磁存储器元件和磁存储器器件

摘要

本发明提供磁存储器元件和磁存储器器件。该磁存储器元件包括：记录层，能够由于外部磁场而改变磁化方向，并且具有易磁化轴和与该易磁化轴相交的难磁化轴；写入线，用于在记录层的布局位置处形成在与易磁化轴的方向相交的方向上的磁场；以及位线，在与写入线相交的方向上延伸，并且用于在记录层的布局位置处形成在与难磁化轴的方向相交的方向上的磁场。记录层的至少部分放置为介于写入线与位线之间。从写入线和位线与记录层彼此层压的方向看，相对于从层压方向看沿写入线延伸的方向的该写入线的虚拟第一中心线而言，记录层的平面形状的一个部分位于一侧上且另一部分位于另一侧上。从层压方向看的该一个部分的面积小于或等于该另一部分的面积的1/3。

主权项

一种磁存储器元件，包括：记录层，能够由于外部磁场而改变磁化方向，并且具有易磁化轴和与所述易磁化轴相交的难磁化轴；第一导电层，用于在所述记录层的布局位置处，形成在与所述易磁化轴的方向相交的方向上的磁场；以及第二导电层，在与所述第一导电层相交的方向上延伸，并且用于在所述记录层的布局位置处，形成在与所述难磁化轴的方向相交的方向上的磁场，其中所述记录层的至少部分放置为介于所述第一导电层与所述第二导电层之间，并且从所述第一导电层和所述第二导电层与所述记录层彼此层压的方向看，相对于从所述层压方向看沿所述第一导电层延伸的方向的所述第一导电层的虚拟第一中心线而言，所述记录层的平面形状的一个部分位于一侧上且另一部分位于另一侧上，并且其中从所述层压方向看的所述一个部分的面积小于或等于所述另一部分的面积的1/3。