具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池

摘要

本实用新型涉及一种具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池，该电池包括背表面层、背电极、p++背场层，背场的上端是单晶硅或者多晶硅基片，基片的正面有绒面结构，绒面上有轻掺杂的发射极n+层，发射极的局部地区为重掺杂的n++层，发射极上覆盖一层介电薄膜，n++层的发射极上有金属电极部分穿过介电薄膜与硅相接触，而且n++层的宽度大于金属电极的宽度。本实用新型可以提高晶体硅太阳电池的光谱响应和钝化效果，提升电池的光电转换效率，且电池结构的设计使前电极与n++层二者的对位更易于实现，从而提高工业生产的成品率。

主权项

一种具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池，其包括背表面层、背电极、背场、硅基片、正面电极，其特征是在硅基片(4)的背面由上至下依次设有背场(3)和背表面层(1)，背电极(2)贯穿背表面层和背场并与硅基片相接触；硅基片的正面呈绒面结构，在硅基片绒面上依次设有发射极n+层(5)和介电薄膜层(7)，在发射极的局部地区设有n++层(6)，发射极上覆盖一层介电薄膜层(7)，在n++层的发射极上设有正面电极(8)，正面电极部分穿过介电薄膜层与硅基片接触，n++层的宽度大于正面电极的宽度。