超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法

摘要

本发明涉及一种超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法，实施步骤如下：（1）将以下成分按重量%均匀混合制成抛光液：纳米SiO2磨料：35～80%，去离子水：12～60%，氧化剂：1～3%，活性剂：1～4% ，FA/OII型螯合剂：0.5～1.5%；（2）抛光工艺参数设定：抛光压力：2～5KPa ，抛光温度：20～50℃，流量：120～250 ml/min ，转速：30～60 rpm/min。抛光液中的氧化剂把铜氧化，FA/OII型螯合剂本身具有极强的螯合能力，与氧化的铜快速反应，生成可溶性的螯合物快速的脱离铜表面，避免主要依赖机械的摩擦作用去除表面铜，实现了在低机械强度下的铜抛光。螯合过程材料的去除以打破分子键来实现，对材料表面损伤小。且在低压下增强CMP化学作用来补偿机械作用对抛光速率的影响。

主权项

一种超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法， 其特征在于实施步骤如下：（1）将以下成分按重量%均匀混合制成抛光液：纳米SiO2磨料：35～80%，    去离子水：12～60%，氧化剂：1～3%，            活性剂：1～4% ，   FA/OII型螯合剂：0.5～1.5%；所述FA/OII型螯合剂为乙二胺四乙酸四（四羟乙基乙二胺）；（2）采用上述抛光液进行抛光工艺的参数设定：抛光压力：2～5 KPa ，         抛光温度：20～50℃，流量：120～250 ml/min ，    转速：30～60 rpm/min。