制造带切口的尾屏蔽件的改进方法

摘要

本发明披露了用于在制造带切口的尾屏蔽件结构期间改善晶片内和晶片间成品率的方法。在平坦化和形成切口之前淀积Ta/Rh CMP停止层以确保用于尾屏蔽件结构的平坦表面。这些停止层可以是毯式淀积的或在CMP之前构图的。图案化的停止层产生了最高的成品率。

主权项

一种制造垂直头的方法，包括：在衬底表面上形成极结构，所述极结构具有与所述衬底接触的有锥度的极部分、淀积在所述有锥度的极部分上的间隙层、以及淀积在所述间隙层上的间隔层；在所述衬底的所述表面上淀积包围所述极结构的电介质层，所述电介质层具有厚度为T1的第一部分和厚度为T2的第二升高部分，所述电介质层的所述第一部分具有基本平行于所述衬底的所述表面的表面，所述电介质层的所述第二升高部分在所述极结构之上且居于所述极结构中心，所述厚度T2大于所述厚度T1；在所述电介质层的所述第一部分和所述第二升高部分上淀积停止层；在所述停止层上淀积光致抗蚀剂层；通过烘焙和光致抗蚀剂剥离工艺的结合，除去所述光致抗蚀剂层的在所述电介质层的所述第二升高部分上的部分以及在所述电介质层的所述第二升高部分上淀积的所述停止层的部分；以及在除去在所述电介质层的所述第二升高部分上淀积的所述停止层的所述部分之后，通过CMP工艺对所述电介质层平坦化，淀积在所述电介质层的所述第一部分上的所述停止层的部分用于终止所述CMP工艺。