| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成的单晶硅层；在所述单晶硅层上形成的第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成的栅极。本发明还提供了一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成单晶硅层；在所述单晶硅层上形成第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成栅极。根据本发明制作的半导体器件，不仅具有较低的工作电压，而且能够兼容于现有的生产线中。 | ||
| 申请公布号 | CN102280451A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201010203803.9 | 申请日期 | 2010.06.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 沈忆华;朱虹 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成的单晶硅层；在所述单晶硅层上形成的第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成的栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||