发明名称 |
将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法,包含以下步骤:1)在硅基片或硅外延层上刻蚀形成一系列沟槽;2)用卤化氢气体对沟槽顶部直角进行再刻蚀,使其形成钝角;3)在高温炉管内于沟槽内部及表面生长一层热氧化硅;4)用湿法刻蚀去除热氧化硅,形成沟槽顶部圆角。本发明可以使较大尺寸沟槽顶部直角变成圆弧较长的明显圆角,从而避免沟槽顶部尖角发生击穿(如浅沟槽隔离),降低尖端处的电场强度以提高器件的击穿电压,还可以防止沟槽填充物使沟槽过早的封口,从而降低沟槽填充的难度。 |
申请公布号 |
CN101996876B |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN200910057784.0 |
申请日期 |
2009.08.27 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
刘继全 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
王函 |
主权项 |
一种将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法,其特征在于,包含以下步骤:1)在硅基片或硅外延层上刻蚀形成一系列沟槽;所述沟槽宽度为1.0‑10.0微米,沟槽深度为5.0‑80.0微米,两个沟槽间的顶部间距大于0.5微米;2)用卤化氢气体对沟槽顶部直角进行再刻蚀,使其形成钝角;3)在高温炉管内于沟槽内部及表面生长一层热氧化硅;4)用湿法刻蚀去除热氧化硅,形成沟槽顶部圆角。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |