| 发明名称 | 用于等离子体处理表面的工艺和装置 | ||
| 摘要 | 在等离子体处理表面的工艺中，在具有入口和出口的介电壳体内产生非平衡大气压等离子体，通过该壳体工艺气体从入口流向出口。在至少部分由介质材料形成的容管从壳体出口向外延伸，其中容管的末端形成等离子体出口。待处理的表面位于等离子体出口附近，使得表面与等离子体接触并相对于等离子体出口而移动。 | ||
| 申请公布号 | CN101049053B | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN200580036961.7 | 申请日期 | 2005.11.03 |
| 申请人 | 陶氏康宁爱尔兰有限公司 | 发明人 | 利亚姆·奥奈尔;彼得·杜宾;沃尔特·卡斯塔格那 |
| 分类号 | H05H1/24(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种用于等离子体处理表面的工艺，其特征在于在具有入口(11)和出口的介电壳体(10)内产生非平衡大气压等离子体，工艺气体通过所述壳体从入口(11)流向出口，至少部分由介电材料制成的容管(13)从壳体的出口向外延伸，借以容管的末端形成等离子体出口(14)，并且等离子体从电极(12)延伸到等离子体出口(14)，使待处理表面位于等离子体出口(14)附近，以使得表面与等离子体接触且相对等离子体出口(14)被移动，其中，容管包括通过没有电接地的导电圆筒(23)连接的多段管状介电材料(22)。 | ||
| 地址 | 爱尔兰科克 | ||